社歴

2014

2月

LTウェーハ鏡面研削砥石開発。

3月

SiCウェーハ鏡面研削砥石開発。

4月

スマホ用Ａ面サファイアカバーガラス向け研磨実験装置開発。

スマホ用Ａ面サファイアカバーガラス研磨向け鏡面研削砥石開発。

5月

ハードディスク(HDD)修復研磨加工開始。

ポリッシングパッドアンダーコート液開発 「マスキングコート300」。

2013

2月

ボウリングボール用研磨剤開発。

6月

ボールクリーナーイオンパワーＳ本格販売。

7月

ABS社イオンパワーSの国内総発売元契約。

10月

超高速ポリッシャー開発 　2,000rpmのポリッシング装置完成。

2012

1月

サファイア研削・ラップ用 グラインドラップ実験装置開発。

3月

サファイア研削砥石開発　砥石＃325番　300μm/min　　達成。

4月

サファイア鏡面砥石開発　Ra7nm達成。

6月

ボウリングボール業界に「イオンパワーS」クリーナー開発。

2011年

1月

サファイア研削砥石を開発。

3月

グラインドラップ研磨装置を開発。

4月

ダイアモンド砥石定盤を開発。

6月

ラッピングホイールを開発。

9月

くるみダイアモンド定盤を開発。

2010年

2月

LED光拡散レジストを開発。

4月

LEDを看板業界へ販売開始。

2009年

1月

真空乾燥装置を開発。

4月

海産物（あわび、なまこ、ボラの卵など）の短期間乾燥に成功。

9月

海産物乾燥事業に着手。

2008年

3月

φ300薄厚ウェーハ50μm厚を達成。

5月

φ300薄厚ウェーハ高抗折強度を完成。

10月

サファイア研磨用5元錫合金プレートを開発。

2007年

1月

水封式真空発生装置を開発・製造。

2月

Si用研削砥石を開発。

5月

Si用エッチング液を開発。

10月

グラインディング・エッチングポリッシャー(GEP)を開発・製造。

2006年

3月

グラインディング・エッチング・ポリッシャー製造に着手。

8月

荒川区西日暮里にGEP研究室開発。

9月

荒川区西日暮里に本社移転。

10月

4元錫合金プレート開発。

2005年

1月

特許「ウェーハの薄厚化方法および装置」製品化に向け、グラインディング・エッチング・ポリッシャーを開発開始。

2月

サファイア研磨用硬化錫合金プレートを開発。

3月

サファイア静圧軸受スピンドルの開発に着手。

4月

サファイア用両面ラップ盤販売を開始。

2004年

1月

次世代GMR磁気ヘッド用スメアー対策錫合金プレート製造を開始。

12月

「ウェーハの薄厚化方法および装置」特許取得。グラインディング・エッチング・ポリッシャー(GEP)特許第3638020号。

2003年

1月

炭酸ガス噴射システムを半導体GaAs用リフトオフ装置として販売。

9月

炭酸ガス噴射システムを有機EL業界にドライクリーニング装置として販売。

砥粒供給装置「ナノドリッパー」を開発・製造。

11月

砥粒供給装置「ナノドリッパー」をMR HEAD業界に販売。

12月

超微細化結晶錫合金プレートを開発。

2002年

2月

株式会社フェムテックを荒川区に設立。

5月

炭酸ガス噴射システムを開発・製造。